簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Ying-Sheng Huang".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="準分子雷射退火"


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    1

    超低溫多晶矽薄膜沉積技術研發
    • 電子工程系 /95/ 碩士
    • 研究生: 賴自強 指導教授: 葉文昌
    • 為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標,我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜,並配合熱滯留輔助結晶技術,在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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    熱滯留層輔助結晶之薄膜電晶體元件研發
    • 電子工程系 /93/ 碩士
    • 研究生: 陳國照 指導教授: 葉文昌
    • 我們已經成功利用熱滯留層輔助結晶技術,經由準分子雷射退火後,可以實現全部充滿橫向成長寬度14um長的矽島。然後我們結合全部橫向長晶的矽島和雙閘極的架構去製造高性能的薄膜電晶體。 另外我們成功地開發了…
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    3

    直流脈衝電源磁控濺鍍二氧化矽絕緣膜及全濺鍍製程矽晶粒定位薄膜電晶體之開發
    • 光電工程研究所 /96/ 碩士
    • 研究生: 戴漢昇 指導教授: 葉文昌
    • 本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…
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    4

    蔽蔭遮罩圖案化製作多晶矽薄膜電晶體
    • 光電工程研究所 /96/ 碩士
    • 研究生: 金大為 指導教授: 葉文昌
    • 成功的利用濺鍍法,配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式,製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上,所製作的TFT On/Off電流比為103,Mobility為10 cm2/V-S, Threshold vo…
    • 點閱:294下載:2
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